2018年 7月 21日 (土)

ハロゲンランプ代替LED電球 発光効率や光の取り出し効率が高く、放熱性にも優れる

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   ウシオライティングは、LEDチップにGaN(窒化ガリウム)を使用した米国Soraa社製の、次世代型110V仕様ハロゲンランプ代替LED電球「LED 電球ダイクロハロゲン形 Soraa Gan on Gan SNAP(ソラ ガンオンガン スナップ)」を、2013年10月18日に発売した。

光の拡がりを変えることができるアクセサリも

110V仕様ミラー付きハロゲンランプ(JDR)の代替に!
110V仕様ミラー付きハロゲンランプ(JDR)の代替に!

   GaN(窒化ガリウム)基板上にGaN系半導体を生成する技術によって生み出され、今後、照明分野でも普及が見込まれるLEDチップ、「GaN on GaN LED」をいち早く採用したLED電球で、110V仕様ミラー付きハロゲンランプ(JDR)を代替する。

   発光効率や光の取り出し効率が高く、放熱性にも優れているため、従来のサファイア基板、シリコン基板を採用したLEDチップでは難しかった、一定面積における大電流化と高照度化を両立し、モジュールの小型化を可能にした。それにより、LED電球の高照度化、コンパクト化を実現した。

   さらに、LED電球の前面ガラス上に装着することで、光の拡がりを変えることができる「スナップアクセサリ」(オプション)を用意。この「スナップアクセサリ」には特殊なマグネットを採用。ユーザー自身が簡単に装着できるうえ、中心からズレることもないので、使用場所に応じて、ビーム角を標準の10度から20度、36度へと変更できる。

   「スナップアクセサリ」については今後、楕円や四角など照射面の形を変えられるタイプ、色温度を変えられるタイプ、ルーバタイプなどをラインアップに加える予定。

   オープン価格。

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